IDT无线应用18伏双端口器件电子设备行业资讯资讯-【资讯】

发布时间：2021-07-21 14:45:05 阅读：次来源：打蛋器厂家

IDT近日发布业界首款针对高端、低功耗无线应用领域的1.8伏双端口器件，该器件特别为高端、功耗敏感的无线应用而设计, 此类应用正开始在中国设计和生产。新器件广泛应用于采用多种低压处理器的无线平台，以满足高端无线手持产品对处理器不断增长的需求。

新型双端口系列包括70P248和70P258两种器件，可应用于一个端口的3.3/3.0/2.5伏输入/输出，以及另一个核心端口的1.8伏输入/输出。这一功能可帮助设计人员仅用一个独立双端口器件就能连接处理器和各种电压的输入/输出，无需额外的电压转换器。

新器件将工作电流和待机电流减少95％之多，较市场现有的替代双端口产品大幅提高了功耗性能。新型双端口系列进一步巩固了IDT在2.5G和3G手机通信和PDA等新兴高端领域的领导地位，可满足更多集成语音、多媒体和数据处理的不断提升的需求。这些应用对于中国的设计人员和制造厂商是至关重要的。

IDT 1.8伏双端口产品大幅降低了无线手机应用的功耗。例如，一个基带处理器和一个应用处理器在能独立运行处理程序的同时需要高速相互交换数据，2.5G和未来3G应用就是这种环境的极好例证。

IDT双端口器件均采用小型封装，以满足无线手机和PDA对于减少板面积的要求。

新器件还可提供传统双端口产品不具备的先进功能，包括集成创新的输入读取和输出驱动寄存器，可帮助用户监控和驱动外部二进制输入和输出器件，如DIP开关和LED，仅采用双端口标准存储接口即可实现。这一功能将拓展处理器在实际应用中的功能，用户可以把通用输入/输出(GPIO)引脚用于其他用途。

1.8伏双端口器件可提供高达55纳秒的高速接入，并提供两个具有单独控制、地址和I/O引脚的独立端口，可以独立和异步读、写任何存储器地址。IDT双端口器件采用高性能IDT CMOS技术，典型操作功耗为27毫瓦。

新器件采用100球状、0.5毫米球栅队列，厚度仅为1毫米，是无线手机和其他便携应用的理想解决方案。

新器件现可提供样品，计划于2004年第二季度投入量产。