瞧一瞧：长江存储赶超将为NAND Flash市场带来新变量-电子发烧友网

2018年全球NAND Flash价格一路走跌，由于市场需求增长平缓，业者预期下半年将延续跌势，随着国际NAND Flash大厂纷纷加码投资次时代技术堆叠，2019年QLC(Quad-Level Cell )NAND将迈入百家争鸣时代，带动消费性固态硬盘(SSD)容量快速升级至TB等级，加上长江存储发布新一代3D NAND架构Xtacking，试图超车追赶国际大厂，全球NAND Flash产量持续增加，战火愈益激烈，2019年NAND Flash市场恐将大幅震荡。

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美光(Micron)与英特尔(Intel)于5月发布全球首款QLC 3D NAND技术SSD，宣告2018年进入QLC量产元年，目标市场锁定数据中心应用领域。近期三星电子(Samsung Electronics)宣布将针对消费性市场推出QLC SSD产品，采用64层3D NAND堆叠生产，最大容量将达到4TB，后续将再推出企业用QLC SSD。

存储器业者指出，2018年以来NAND Flash价格走势疲弱，消费性市场搭载大容量SSD产品需求与渗透率持续成长，尽管QLC具有更高容量和成本优势，然因单位体积容量增加与存储密度增大，厂商要确保产品速度和性能水平并不容易，三星声称已可实现QLC SSD与TLC同等级的性能，未来高容量SSD拥有价格优势，可望提升ODM厂商搭载意愿，包括笔记本电脑(NB)搭载SSD主流规格将朝向1TB迈进。

由于SSD容量发展速度已明显快于HDD，意味着SSD将加快取代HDD的脚步，尤其三星推出消费性QLC SSD抢市后，业界预期东芝(Toshiba)96层QLC 3D NAND亦可望跟进推出，2019年全球存储器原厂QLC SSD产品相继问世，存储器模块厂亦将推出新品上市，带动SSD容量升级及价格竞争白热化。

值得注意的是，在国内发展存储器国产化的声浪下，长江存储日前亦推出全新3D NAND架构Xtacking，首要特点在于大幅提升I/O接口速度，具备3D NAND多层堆叠的更高存储密度，并可减少上市周期。

长江存储指出，Xtacking可将I/O接口速度提升到3Gbps，相当于DRAM DDR4的速度，产品开发时间可缩短3个月，生产周期缩短20%，可加速3D NAND产品上市，Xtacking技术将应用于第二代3D NAND产品开发，预计2019年进入量产。

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="text-indent: 2em;"> 业界认为长江存储积极超车赶上的态势，加上第4季32层NAND将进入量产，2019年能否快速扩大量产及铺货将是观察重点，即使目前长江存储NAND技术仍落后国际大厂，但市场价格制约力量将逐渐形成，并为NAND Flash市场波动带来新变量。